三星將與臺積電合作生產英偉達內存芯片
ChainCatcher 1 小時前 ChainCatcher 消息，三星電子將采用臺積電的 3 納米制程，為英偉達生產下一代定制 HBM 芯片基底裸片。這是三星首次在 HBM 制造階段與臺積電合作。英偉達要求三星、SK 海力士和美光科技采用臺積電工藝制造 NVHBM 基底裸片，并使用第六代 DRAM 技術。三星計劃繼續自主生產標準 HBM 和其他客戶的定制產品。
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